碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目备 案 证 明

碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目已于2021年9月22日在湖南省投资项目在线审批监管平台备案，项目编码： 2109-430204-04-01-934486，主要内容如下：

1、企业基本情况：株洲中车时代半导体有限公司

2、项目名称：碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目

3、建设地点：湖南省株洲市田心工业园区内中车时代半导体现有的4英寸（可扩充到6英寸）碳化硅芯片线主生产厂房和动力站等辅助厂房。

4、建设规模及主要建设内容：在现有厂房内进行改造升级，将现有4英寸碳化硅芯片线技术升级至6英寸，并补充更高性能的光刻机、高能离子注入机等关键工艺及测试设备，将产能扩充至年产25000片6英寸晶圆。工艺技术最小线宽达到0.25μm，芯片线具备标准平面栅SiC MOSFET、精细平面栅SiC MOSFET生产制造能力和薄片沟槽栅MOSFET芯片研发能力，将现有平面栅SiC MOSFET技术能力提升到满足沟槽栅SiC MOSFET芯片技术。打造新能源汽车、轨道交通用SiC SBD、MOSFET芯片制造平台。面向新能源汽车用精细平面栅SiC MOSFET芯片，实现1200V SiC MOSFET芯片产品批量生产；面向轨道交通用标准平面栅3300V SiC SBD、MOSFET芯片，实现小批量生产。针对未来发展需求，开发沟槽栅SiC MOSFET芯片技术。

5、项目总投资额：46153.00万元

6、项目备案后，项目单位应按规定办理国土、规划、环保、水务、节能等相关手续，方可开工建设。项目建设过程中严格执行国家有关环保、消防、卫生和劳动安全等方面的规定，做到项目建设“三同时”，争取早日竣工投产，发挥效益，并通过在线平台定期报送项目建设信息，项目开工前每季度末次月10日前报送前期工作信息，项目开工后每月10日前报送截至上月末的建设进度信息，项目竣工后30个工作日内报送竣工验收信息。备案内容若发生变化或者放弃项目建设的，项目单位请及时书面告知我局。

7、项目单位应当对备案项目信息的真实性、合法性和完整性负责。本备案证明有效期为2年，自发布之日起计算，在备案通知有效期内未开工建设的，本备案证明自动失效。 

以上信息由单位网上告知，信息真实性由该单位负责。

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